BSC082N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
Číslo dílu
BSC082N10LSGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.8A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 110µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
104nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7400pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27433 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC082N10LSGATMA1
BSC082N10LSGATMA1 Elektronické komponenty
BSC082N10LSGATMA1 Odbyt
BSC082N10LSGATMA1 Dodavatel
BSC082N10LSGATMA1 Distributor
BSC082N10LSGATMA1 Datová tabulka
BSC082N10LSGATMA1 Fotky
BSC082N10LSGATMA1 Cena
BSC082N10LSGATMA1 Nabídka
BSC082N10LSGATMA1 Nejnižší cena
BSC082N10LSGATMA1 Vyhledávání
BSC082N10LSGATMA1 Nákup
BSC082N10LSGATMA1 Chip