Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSC0910NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Číslo dílu
BSC0910NDIATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Výkon - Max
1W
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TISON-8
Typ FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkce FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A, 31A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27970 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC0910NDIATMA1
BSC0910NDIATMA1 Elektronické komponenty
BSC0910NDIATMA1 Odbyt
BSC0910NDIATMA1 Dodavatel
BSC0910NDIATMA1 Distributor
BSC0910NDIATMA1 Datová tabulka
BSC0910NDIATMA1 Fotky
BSC0910NDIATMA1 Cena
BSC0910NDIATMA1 Nabídka
BSC0910NDIATMA1 Nejnižší cena
BSC0910NDIATMA1 Vyhledávání
BSC0910NDIATMA1 Nákup
BSC0910NDIATMA1 Chip