Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSC882N03LSGATMA1
MOSFET N-CH TDSON-8
Číslo dílu
BSC882N03LSGATMA1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
-
Dodavatelský balíček zařízení
-
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
34V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
-
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49350 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC882N03LSGATMA1
BSC882N03LSGATMA1 Elektronické komponenty
BSC882N03LSGATMA1 Odbyt
BSC882N03LSGATMA1 Dodavatel
BSC882N03LSGATMA1 Distributor
BSC882N03LSGATMA1 Datová tabulka
BSC882N03LSGATMA1 Fotky
BSC882N03LSGATMA1 Cena
BSC882N03LSGATMA1 Nabídka
BSC882N03LSGATMA1 Nejnižší cena
BSC882N03LSGATMA1 Vyhledávání
BSC882N03LSGATMA1 Nákup
BSC882N03LSGATMA1 Chip