BSO200N03S
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
Číslo dílu
BSO200N03S
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
PG-DSO-8
Ztráta energie (max.)
1.56W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
840pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13993 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSO200N03S
BSO200N03S Elektronické komponenty
BSO200N03S Odbyt
BSO200N03S Dodavatel
BSO200N03S Distributor
BSO200N03S Datová tabulka
BSO200N03S Fotky
BSO200N03S Cena
BSO200N03S Nabídka
BSO200N03S Nejnižší cena
BSO200N03S Vyhledávání
BSO200N03S Nákup
BSO200N03S Chip