BSO211PNTMA1
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
Číslo dílu
BSO211PNTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
P-DSO-8
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.7A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23.9nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54708 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSO211PNTMA1
BSO211PNTMA1 Elektronické komponenty
BSO211PNTMA1 Odbyt
BSO211PNTMA1 Dodavatel
BSO211PNTMA1 Distributor
BSO211PNTMA1 Datová tabulka
BSO211PNTMA1 Fotky
BSO211PNTMA1 Cena
BSO211PNTMA1 Nabídka
BSO211PNTMA1 Nejnižší cena
BSO211PNTMA1 Vyhledávání
BSO211PNTMA1 Nákup
BSO211PNTMA1 Chip