BSZ100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
Číslo dílu
BSZ100N03MSGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29968 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ100N03MSGATMA1
BSZ100N03MSGATMA1 Elektronické komponenty
BSZ100N03MSGATMA1 Odbyt
BSZ100N03MSGATMA1 Dodavatel
BSZ100N03MSGATMA1 Distributor
BSZ100N03MSGATMA1 Datová tabulka
BSZ100N03MSGATMA1 Fotky
BSZ100N03MSGATMA1 Cena
BSZ100N03MSGATMA1 Nabídka
BSZ100N03MSGATMA1 Nejnižší cena
BSZ100N03MSGATMA1 Vyhledávání
BSZ100N03MSGATMA1 Nákup
BSZ100N03MSGATMA1 Chip