Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BUZ73A H
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Číslo dílu
BUZ73A H
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20209 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BUZ73A H
BUZ73A H Elektronické komponenty
BUZ73A H Odbyt
BUZ73A H Dodavatel
BUZ73A H Distributor
BUZ73A H Datová tabulka
BUZ73A H Fotky
BUZ73A H Cena
BUZ73A H Nabídka
BUZ73A H Nejnižší cena
BUZ73A H Vyhledávání
BUZ73A H Nákup
BUZ73A H Chip