Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BUZ73LHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Číslo dílu
BUZ73LHXKSA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
840pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45375 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BUZ73LHXKSA1
BUZ73LHXKSA1 Elektronické komponenty
BUZ73LHXKSA1 Odbyt
BUZ73LHXKSA1 Dodavatel
BUZ73LHXKSA1 Distributor
BUZ73LHXKSA1 Datová tabulka
BUZ73LHXKSA1 Fotky
BUZ73LHXKSA1 Cena
BUZ73LHXKSA1 Nabídka
BUZ73LHXKSA1 Nejnižší cena
BUZ73LHXKSA1 Vyhledávání
BUZ73LHXKSA1 Nákup
BUZ73LHXKSA1 Chip