Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DF200R12KE3HOSA1
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Číslo dílu
DF200R12KE3HOSA1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
Module
Výkon - Max
1040W
Konfigurace
Single
Dodavatelský balíček zařízení
Module
Proud – kolektor (Ic) (Max)
-
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1200V
Proud – limit sběrače (Max)
5mA
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
14nF @ 25V
Vstupte
Standard
NTC termistor
No
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11416 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DF200R12KE3HOSA1
DF200R12KE3HOSA1 Elektronické komponenty
DF200R12KE3HOSA1 Odbyt
DF200R12KE3HOSA1 Dodavatel
DF200R12KE3HOSA1 Distributor
DF200R12KE3HOSA1 Datová tabulka
DF200R12KE3HOSA1 Fotky
DF200R12KE3HOSA1 Cena
DF200R12KE3HOSA1 Nabídka
DF200R12KE3HOSA1 Nejnižší cena
DF200R12KE3HOSA1 Vyhledávání
DF200R12KE3HOSA1 Nákup
DF200R12KE3HOSA1 Chip