Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Číslo dílu
IPB009N03LGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-7-3
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
227nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
25000pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17602 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB009N03LGATMA1
IPB009N03LGATMA1 Elektronické komponenty
IPB009N03LGATMA1 Odbyt
IPB009N03LGATMA1 Dodavatel
IPB009N03LGATMA1 Distributor
IPB009N03LGATMA1 Datová tabulka
IPB009N03LGATMA1 Fotky
IPB009N03LGATMA1 Cena
IPB009N03LGATMA1 Nabídka
IPB009N03LGATMA1 Nejnižší cena
IPB009N03LGATMA1 Vyhledávání
IPB009N03LGATMA1 Nákup
IPB009N03LGATMA1 Chip