Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3
Číslo dílu
IPB020N08N5ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 208µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
166nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12100pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11218 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IPB020N08N5ATMA1
IPB020N08N5ATMA1 Elektronické komponenty
IPB020N08N5ATMA1 Odbyt
IPB020N08N5ATMA1 Dodavatel
IPB020N08N5ATMA1 Distributor
IPB020N08N5ATMA1 Datová tabulka
IPB020N08N5ATMA1 Fotky
IPB020N08N5ATMA1 Cena
IPB020N08N5ATMA1 Nabídka
IPB020N08N5ATMA1 Nejnižší cena
IPB020N08N5ATMA1 Vyhledávání
IPB020N08N5ATMA1 Nákup
IPB020N08N5ATMA1 Chip