Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB023N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
Číslo dílu
IPB023N04NGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
167W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 95µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10000pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22552 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB023N04NGATMA1
IPB023N04NGATMA1 Elektronické komponenty
IPB023N04NGATMA1 Odbyt
IPB023N04NGATMA1 Dodavatel
IPB023N04NGATMA1 Distributor
IPB023N04NGATMA1 Datová tabulka
IPB023N04NGATMA1 Fotky
IPB023N04NGATMA1 Cena
IPB023N04NGATMA1 Nabídka
IPB023N04NGATMA1 Nejnižší cena
IPB023N04NGATMA1 Vyhledávání
IPB023N04NGATMA1 Nákup
IPB023N04NGATMA1 Chip