IPB031N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V TO263-3
Číslo dílu
IPB031N08N5ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
167W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 108µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6240pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31621 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB031N08N5ATMA1
IPB031N08N5ATMA1 Elektronické komponenty
IPB031N08N5ATMA1 Odbyt
IPB031N08N5ATMA1 Dodavatel
IPB031N08N5ATMA1 Distributor
IPB031N08N5ATMA1 Datová tabulka
IPB031N08N5ATMA1 Fotky
IPB031N08N5ATMA1 Cena
IPB031N08N5ATMA1 Nabídka
IPB031N08N5ATMA1 Nejnižší cena
IPB031N08N5ATMA1 Vyhledávání
IPB031N08N5ATMA1 Nákup
IPB031N08N5ATMA1 Chip