Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Číslo dílu
IPB039N04LGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 45µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25186 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IPB039N04LGATMA1
IPB039N04LGATMA1 Elektronické komponenty
IPB039N04LGATMA1 Odbyt
IPB039N04LGATMA1 Dodavatel
IPB039N04LGATMA1 Distributor
IPB039N04LGATMA1 Datová tabulka
IPB039N04LGATMA1 Fotky
IPB039N04LGATMA1 Cena
IPB039N04LGATMA1 Nabídka
IPB039N04LGATMA1 Nejnižší cena
IPB039N04LGATMA1 Vyhledávání
IPB039N04LGATMA1 Nákup
IPB039N04LGATMA1 Chip