Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Číslo dílu
IPB06CN10N G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 180µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
139nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9200pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20957 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB06CN10N G
IPB06CN10N G Elektronické komponenty
IPB06CN10N G Odbyt
IPB06CN10N G Dodavatel
IPB06CN10N G Distributor
IPB06CN10N G Datová tabulka
IPB06CN10N G Fotky
IPB06CN10N G Cena
IPB06CN10N G Nabídka
IPB06CN10N G Nejnižší cena
IPB06CN10N G Vyhledávání
IPB06CN10N G Nákup
IPB06CN10N G Chip