IPB072N15N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Číslo dílu
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
93nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5470pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15800 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB072N15N3GE8187ATMA1
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Elektronické komponenty
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Odbyt
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Dodavatel
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Distributor
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Datová tabulka
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Fotky
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Cena
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Nabídka
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Nejnižší cena
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Vyhledávání
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Nákup
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Chip