Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
Číslo dílu
IPB083N15N5LFATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
179W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 134µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13310 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1 Elektronické komponenty
IPB083N15N5LFATMA1 Odbyt
IPB083N15N5LFATMA1 Dodavatel
IPB083N15N5LFATMA1 Distributor
IPB083N15N5LFATMA1 Datová tabulka
IPB083N15N5LFATMA1 Fotky
IPB083N15N5LFATMA1 Cena
IPB083N15N5LFATMA1 Nabídka
IPB083N15N5LFATMA1 Nejnižší cena
IPB083N15N5LFATMA1 Vyhledávání
IPB083N15N5LFATMA1 Nákup
IPB083N15N5LFATMA1 Chip