IPB093N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
Číslo dílu
IPB093N04LGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
47W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 16µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51272 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB093N04LGATMA1
IPB093N04LGATMA1 Elektronické komponenty
IPB093N04LGATMA1 Odbyt
IPB093N04LGATMA1 Dodavatel
IPB093N04LGATMA1 Distributor
IPB093N04LGATMA1 Datová tabulka
IPB093N04LGATMA1 Fotky
IPB093N04LGATMA1 Cena
IPB093N04LGATMA1 Nabídka
IPB093N04LGATMA1 Nejnižší cena
IPB093N04LGATMA1 Vyhledávání
IPB093N04LGATMA1 Nákup
IPB093N04LGATMA1 Chip