IPB097N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
Číslo dílu
IPB097N08N3 G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.7 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6117 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB097N08N3 G
IPB097N08N3 G Elektronické komponenty
IPB097N08N3 G Odbyt
IPB097N08N3 G Dodavatel
IPB097N08N3 G Distributor
IPB097N08N3 G Datová tabulka
IPB097N08N3 G Fotky
IPB097N08N3 G Cena
IPB097N08N3 G Nabídka
IPB097N08N3 G Nejnižší cena
IPB097N08N3 G Vyhledávání
IPB097N08N3 G Nákup
IPB097N08N3 G Chip