Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB22N03S4L15ATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
Číslo dílu
IPB22N03S4L15ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
31W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14.6 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47196 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB22N03S4L15ATMA1
IPB22N03S4L15ATMA1 Elektronické komponenty
IPB22N03S4L15ATMA1 Odbyt
IPB22N03S4L15ATMA1 Dodavatel
IPB22N03S4L15ATMA1 Distributor
IPB22N03S4L15ATMA1 Datová tabulka
IPB22N03S4L15ATMA1 Fotky
IPB22N03S4L15ATMA1 Cena
IPB22N03S4L15ATMA1 Nabídka
IPB22N03S4L15ATMA1 Nejnižší cena
IPB22N03S4L15ATMA1 Vyhledávání
IPB22N03S4L15ATMA1 Nákup
IPB22N03S4L15ATMA1 Chip