Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Číslo dílu
IPB26CN10NGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2070pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54808 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB26CN10NGATMA1
IPB26CN10NGATMA1 Elektronické komponenty
IPB26CN10NGATMA1 Odbyt
IPB26CN10NGATMA1 Dodavatel
IPB26CN10NGATMA1 Distributor
IPB26CN10NGATMA1 Datová tabulka
IPB26CN10NGATMA1 Fotky
IPB26CN10NGATMA1 Cena
IPB26CN10NGATMA1 Nabídka
IPB26CN10NGATMA1 Nejnižší cena
IPB26CN10NGATMA1 Vyhledávání
IPB26CN10NGATMA1 Nákup
IPB26CN10NGATMA1 Chip