Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Číslo dílu
IPB35N10S3L26ATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26.3 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 39µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43714 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB35N10S3L26ATMA1
IPB35N10S3L26ATMA1 Elektronické komponenty
IPB35N10S3L26ATMA1 Odbyt
IPB35N10S3L26ATMA1 Dodavatel
IPB35N10S3L26ATMA1 Distributor
IPB35N10S3L26ATMA1 Datová tabulka
IPB35N10S3L26ATMA1 Fotky
IPB35N10S3L26ATMA1 Cena
IPB35N10S3L26ATMA1 Nabídka
IPB35N10S3L26ATMA1 Nejnižší cena
IPB35N10S3L26ATMA1 Vyhledávání
IPB35N10S3L26ATMA1 Nákup
IPB35N10S3L26ATMA1 Chip