Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPC302N12N3X1SA1
MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Číslo dílu
IPC302N12N3X1SA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Sawn on foil
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
120V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 275µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40701 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPC302N12N3X1SA1
IPC302N12N3X1SA1 Elektronické komponenty
IPC302N12N3X1SA1 Odbyt
IPC302N12N3X1SA1 Dodavatel
IPC302N12N3X1SA1 Distributor
IPC302N12N3X1SA1 Datová tabulka
IPC302N12N3X1SA1 Fotky
IPC302N12N3X1SA1 Cena
IPC302N12N3X1SA1 Nabídka
IPC302N12N3X1SA1 Nejnižší cena
IPC302N12N3X1SA1 Vyhledávání
IPC302N12N3X1SA1 Nákup
IPC302N12N3X1SA1 Chip