Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON
Číslo dílu
IPC50N04S55R8ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 13µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1090pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
7V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6825 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPC50N04S55R8ATMA1
IPC50N04S55R8ATMA1 Elektronické komponenty
IPC50N04S55R8ATMA1 Odbyt
IPC50N04S55R8ATMA1 Dodavatel
IPC50N04S55R8ATMA1 Distributor
IPC50N04S55R8ATMA1 Datová tabulka
IPC50N04S55R8ATMA1 Fotky
IPC50N04S55R8ATMA1 Cena
IPC50N04S55R8ATMA1 Nabídka
IPC50N04S55R8ATMA1 Nejnižší cena
IPC50N04S55R8ATMA1 Vyhledávání
IPC50N04S55R8ATMA1 Nákup
IPC50N04S55R8ATMA1 Chip