IPD200N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Číslo dílu
IPD200N15N3GBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1820pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41122 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD200N15N3GBTMA1
IPD200N15N3GBTMA1 Elektronické komponenty
IPD200N15N3GBTMA1 Odbyt
IPD200N15N3GBTMA1 Dodavatel
IPD200N15N3GBTMA1 Distributor
IPD200N15N3GBTMA1 Datová tabulka
IPD200N15N3GBTMA1 Fotky
IPD200N15N3GBTMA1 Cena
IPD200N15N3GBTMA1 Nabídka
IPD200N15N3GBTMA1 Nejnižší cena
IPD200N15N3GBTMA1 Vyhledávání
IPD200N15N3GBTMA1 Nákup
IPD200N15N3GBTMA1 Chip