Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD250N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
Číslo dílu
IPD250N06N3GBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 11µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21690 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD250N06N3GBTMA1
IPD250N06N3GBTMA1 Elektronické komponenty
IPD250N06N3GBTMA1 Odbyt
IPD250N06N3GBTMA1 Dodavatel
IPD250N06N3GBTMA1 Distributor
IPD250N06N3GBTMA1 Datová tabulka
IPD250N06N3GBTMA1 Fotky
IPD250N06N3GBTMA1 Cena
IPD250N06N3GBTMA1 Nabídka
IPD250N06N3GBTMA1 Nejnižší cena
IPD250N06N3GBTMA1 Vyhledávání
IPD250N06N3GBTMA1 Nákup
IPD250N06N3GBTMA1 Chip