Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD90N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Číslo dílu
IPD90N03S4L02ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9750pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49028 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD90N03S4L02ATMA1
IPD90N03S4L02ATMA1 Elektronické komponenty
IPD90N03S4L02ATMA1 Odbyt
IPD90N03S4L02ATMA1 Dodavatel
IPD90N03S4L02ATMA1 Distributor
IPD90N03S4L02ATMA1 Datová tabulka
IPD90N03S4L02ATMA1 Fotky
IPD90N03S4L02ATMA1 Cena
IPD90N03S4L02ATMA1 Nabídka
IPD90N03S4L02ATMA1 Nejnižší cena
IPD90N03S4L02ATMA1 Vyhledávání
IPD90N03S4L02ATMA1 Nákup
IPD90N03S4L02ATMA1 Chip