IPD90R1K2C3BTMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
Číslo dílu
IPD90R1K2C3BTMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 310µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20951 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD90R1K2C3BTMA1
IPD90R1K2C3BTMA1 Elektronické komponenty
IPD90R1K2C3BTMA1 Odbyt
IPD90R1K2C3BTMA1 Dodavatel
IPD90R1K2C3BTMA1 Distributor
IPD90R1K2C3BTMA1 Datová tabulka
IPD90R1K2C3BTMA1 Fotky
IPD90R1K2C3BTMA1 Cena
IPD90R1K2C3BTMA1 Nabídka
IPD90R1K2C3BTMA1 Nejnižší cena
IPD90R1K2C3BTMA1 Vyhledávání
IPD90R1K2C3BTMA1 Nákup
IPD90R1K2C3BTMA1 Chip