Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPG20N04S412AATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Číslo dílu
IPG20N04S412AATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Výkon - Max
41W
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8-10
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1470pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19588 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPG20N04S412AATMA1
IPG20N04S412AATMA1 Elektronické komponenty
IPG20N04S412AATMA1 Odbyt
IPG20N04S412AATMA1 Dodavatel
IPG20N04S412AATMA1 Distributor
IPG20N04S412AATMA1 Datová tabulka
IPG20N04S412AATMA1 Fotky
IPG20N04S412AATMA1 Cena
IPG20N04S412AATMA1 Nabídka
IPG20N04S412AATMA1 Nejnižší cena
IPG20N04S412AATMA1 Vyhledávání
IPG20N04S412AATMA1 Nákup
IPG20N04S412AATMA1 Chip