Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPG20N06S2L50ATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Číslo dílu
IPG20N06S2L50ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Výkon - Max
51W
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8-4
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 19µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20348 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPG20N06S2L50ATMA1
IPG20N06S2L50ATMA1 Elektronické komponenty
IPG20N06S2L50ATMA1 Odbyt
IPG20N06S2L50ATMA1 Dodavatel
IPG20N06S2L50ATMA1 Distributor
IPG20N06S2L50ATMA1 Datová tabulka
IPG20N06S2L50ATMA1 Fotky
IPG20N06S2L50ATMA1 Cena
IPG20N06S2L50ATMA1 Nabídka
IPG20N06S2L50ATMA1 Nejnižší cena
IPG20N06S2L50ATMA1 Vyhledávání
IPG20N06S2L50ATMA1 Nákup
IPG20N06S2L50ATMA1 Chip