Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPG20N10S4L22AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Číslo dílu
IPG20N10S4L22AATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Výkon - Max
60W
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8-10
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1755pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34769 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPG20N10S4L22AATMA1
IPG20N10S4L22AATMA1 Elektronické komponenty
IPG20N10S4L22AATMA1 Odbyt
IPG20N10S4L22AATMA1 Dodavatel
IPG20N10S4L22AATMA1 Distributor
IPG20N10S4L22AATMA1 Datová tabulka
IPG20N10S4L22AATMA1 Fotky
IPG20N10S4L22AATMA1 Cena
IPG20N10S4L22AATMA1 Nabídka
IPG20N10S4L22AATMA1 Nejnižší cena
IPG20N10S4L22AATMA1 Vyhledávání
IPG20N10S4L22AATMA1 Nákup
IPG20N10S4L22AATMA1 Chip