IPG20N10S4L35ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Číslo dílu
IPG20N10S4L35ATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Výkon - Max
43W
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8-4
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 16µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1105pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22809 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPG20N10S4L35ATMA1
IPG20N10S4L35ATMA1 Elektronické komponenty
IPG20N10S4L35ATMA1 Odbyt
IPG20N10S4L35ATMA1 Dodavatel
IPG20N10S4L35ATMA1 Distributor
IPG20N10S4L35ATMA1 Datová tabulka
IPG20N10S4L35ATMA1 Fotky
IPG20N10S4L35ATMA1 Cena
IPG20N10S4L35ATMA1 Nabídka
IPG20N10S4L35ATMA1 Nejnižší cena
IPG20N10S4L35ATMA1 Vyhledávání
IPG20N10S4L35ATMA1 Nákup
IPG20N10S4L35ATMA1 Chip