Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI50CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
Číslo dílu
IPI50CN10NGHKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
44W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1090pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49372 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI50CN10NGHKSA1
IPI50CN10NGHKSA1 Elektronické komponenty
IPI50CN10NGHKSA1 Odbyt
IPI50CN10NGHKSA1 Dodavatel
IPI50CN10NGHKSA1 Distributor
IPI50CN10NGHKSA1 Datová tabulka
IPI50CN10NGHKSA1 Fotky
IPI50CN10NGHKSA1 Cena
IPI50CN10NGHKSA1 Nabídka
IPI50CN10NGHKSA1 Nejnižší cena
IPI50CN10NGHKSA1 Vyhledávání
IPI50CN10NGHKSA1 Nákup
IPI50CN10NGHKSA1 Chip