Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI60R165CPAKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
Číslo dílu
IPI60R165CPAKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
192W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 790µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28062 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI60R165CPAKSA1
IPI60R165CPAKSA1 Elektronické komponenty
IPI60R165CPAKSA1 Odbyt
IPI60R165CPAKSA1 Dodavatel
IPI60R165CPAKSA1 Distributor
IPI60R165CPAKSA1 Datová tabulka
IPI60R165CPAKSA1 Fotky
IPI60R165CPAKSA1 Cena
IPI60R165CPAKSA1 Nabídka
IPI60R165CPAKSA1 Nejnižší cena
IPI60R165CPAKSA1 Vyhledávání
IPI60R165CPAKSA1 Nákup
IPI60R165CPAKSA1 Chip