Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI70N04S307AKSA1

IPI70N04S307AKSA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Číslo dílu
IPI70N04S307AKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6870 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IPI70N04S307AKSA1
IPI70N04S307AKSA1 Elektronické komponenty
IPI70N04S307AKSA1 Odbyt
IPI70N04S307AKSA1 Dodavatel
IPI70N04S307AKSA1 Distributor
IPI70N04S307AKSA1 Datová tabulka
IPI70N04S307AKSA1 Fotky
IPI70N04S307AKSA1 Cena
IPI70N04S307AKSA1 Nabídka
IPI70N04S307AKSA1 Nejnižší cena
IPI70N04S307AKSA1 Vyhledávání
IPI70N04S307AKSA1 Nákup
IPI70N04S307AKSA1 Chip