Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI90R1K0C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262
Číslo dílu
IPI90R1K0C3XKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1 Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 370µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51438 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI90R1K0C3XKSA1
IPI90R1K0C3XKSA1 Elektronické komponenty
IPI90R1K0C3XKSA1 Odbyt
IPI90R1K0C3XKSA1 Dodavatel
IPI90R1K0C3XKSA1 Distributor
IPI90R1K0C3XKSA1 Datová tabulka
IPI90R1K0C3XKSA1 Fotky
IPI90R1K0C3XKSA1 Cena
IPI90R1K0C3XKSA1 Nabídka
IPI90R1K0C3XKSA1 Nejnižší cena
IPI90R1K0C3XKSA1 Vyhledávání
IPI90R1K0C3XKSA1 Nákup
IPI90R1K0C3XKSA1 Chip