Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPL60R065P7AUMA1
MOSFET N-CH 4VSON
Číslo dílu
IPL60R065P7AUMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ P7
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-PowerTSFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-VSON-4
Ztráta energie (max.)
201W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 800µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2895pF @ 400V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5395 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPL60R065P7AUMA1
IPL60R065P7AUMA1 Elektronické komponenty
IPL60R065P7AUMA1 Odbyt
IPL60R065P7AUMA1 Dodavatel
IPL60R065P7AUMA1 Distributor
IPL60R065P7AUMA1 Datová tabulka
IPL60R065P7AUMA1 Fotky
IPL60R065P7AUMA1 Cena
IPL60R065P7AUMA1 Nabídka
IPL60R065P7AUMA1 Nejnižší cena
IPL60R065P7AUMA1 Vyhledávání
IPL60R065P7AUMA1 Nákup
IPL60R065P7AUMA1 Chip