Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPN80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Číslo dílu
IPN80R2K0P7ATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ P7
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-223-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT223
Ztráta energie (max.)
6W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 Ohm @ 940mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
175pF @ 500V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37832 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPN80R2K0P7ATMA1
IPN80R2K0P7ATMA1 Elektronické komponenty
IPN80R2K0P7ATMA1 Odbyt
IPN80R2K0P7ATMA1 Dodavatel
IPN80R2K0P7ATMA1 Distributor
IPN80R2K0P7ATMA1 Datová tabulka
IPN80R2K0P7ATMA1 Fotky
IPN80R2K0P7ATMA1 Cena
IPN80R2K0P7ATMA1 Nabídka
IPN80R2K0P7ATMA1 Nejnižší cena
IPN80R2K0P7ATMA1 Vyhledávání
IPN80R2K0P7ATMA1 Nákup
IPN80R2K0P7ATMA1 Chip