Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP023NE7N3G
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Číslo dílu
IPP023NE7N3G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™ 3
Stav sekce
Obsolete
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220-3
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 37.5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21227 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP023NE7N3G
IPP023NE7N3G Elektronické komponenty
IPP023NE7N3G Odbyt
IPP023NE7N3G Dodavatel
IPP023NE7N3G Distributor
IPP023NE7N3G Datová tabulka
IPP023NE7N3G Fotky
IPP023NE7N3G Cena
IPP023NE7N3G Nabídka
IPP023NE7N3G Nejnižší cena
IPP023NE7N3G Vyhledávání
IPP023NE7N3G Nákup
IPP023NE7N3G Chip