Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Číslo dílu
IPP080N06N G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220-3-1
Ztráta energie (max.)
214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
93nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30130 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP080N06N G
IPP080N06N G Elektronické komponenty
IPP080N06N G Odbyt
IPP080N06N G Dodavatel
IPP080N06N G Distributor
IPP080N06N G Datová tabulka
IPP080N06N G Fotky
IPP080N06N G Cena
IPP080N06N G Nabídka
IPP080N06N G Nejnižší cena
IPP080N06N G Vyhledávání
IPP080N06N G Nákup
IPP080N06N G Chip