Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP08CN10L G
MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
Číslo dílu
IPP08CN10L G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
167W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
98A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 98A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 130µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8610pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53666 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP08CN10L G
IPP08CN10L G Elektronické komponenty
IPP08CN10L G Odbyt
IPP08CN10L G Dodavatel
IPP08CN10L G Distributor
IPP08CN10L G Datová tabulka
IPP08CN10L G Fotky
IPP08CN10L G Cena
IPP08CN10L G Nabídka
IPP08CN10L G Nejnižší cena
IPP08CN10L G Vyhledávání
IPP08CN10L G Nákup
IPP08CN10L G Chip