Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A TO-220
Číslo dílu
IPP08CNE8N G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
167W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
85V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.4 mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 130µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
99nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6690pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28555 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP08CNE8N G
IPP08CNE8N G Elektronické komponenty
IPP08CNE8N G Odbyt
IPP08CNE8N G Dodavatel
IPP08CNE8N G Distributor
IPP08CNE8N G Datová tabulka
IPP08CNE8N G Fotky
IPP08CNE8N G Cena
IPP08CNE8N G Nabídka
IPP08CNE8N G Nejnižší cena
IPP08CNE8N G Vyhledávání
IPP08CNE8N G Nákup
IPP08CNE8N G Chip