Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP410N30NAKSA1
MOSFET N-CH TO220-3
Číslo dílu
IPP410N30NAKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
41 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7180pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11480 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP410N30NAKSA1
IPP410N30NAKSA1 Elektronické komponenty
IPP410N30NAKSA1 Odbyt
IPP410N30NAKSA1 Dodavatel
IPP410N30NAKSA1 Distributor
IPP410N30NAKSA1 Datová tabulka
IPP410N30NAKSA1 Fotky
IPP410N30NAKSA1 Cena
IPP410N30NAKSA1 Nabídka
IPP410N30NAKSA1 Nejnižší cena
IPP410N30NAKSA1 Vyhledávání
IPP410N30NAKSA1 Nákup
IPP410N30NAKSA1 Chip