Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPSA70R2K0P7SAKMA1
MOSFET TO251-3
Číslo dílu
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ P7
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO251
Ztráta energie (max.)
17.6W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 30µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.8nC @ 400V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
130pF @ 400V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33277 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPSA70R2K0P7SAKMA1
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Elektronické komponenty
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Odbyt
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Dodavatel
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Distributor
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Datová tabulka
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Fotky
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Cena
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Nabídka
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Nejnižší cena
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Vyhledávání
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Nákup
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Chip