Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPSH6N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Číslo dílu
IPSH6N03LB G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO251-3
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 40µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23916 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPSH6N03LB G
IPSH6N03LB G Elektronické komponenty
IPSH6N03LB G Odbyt
IPSH6N03LB G Dodavatel
IPSH6N03LB G Distributor
IPSH6N03LB G Datová tabulka
IPSH6N03LB G Fotky
IPSH6N03LB G Cena
IPSH6N03LB G Nabídka
IPSH6N03LB G Nejnižší cena
IPSH6N03LB G Vyhledávání
IPSH6N03LB G Nákup
IPSH6N03LB G Chip