Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPT60R050G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
Číslo dílu
IPT60R050G7XTMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ G7
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerSFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-HSOF-8
Ztráta energie (max.)
245W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 800µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2670pF @ 400V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16079 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPT60R050G7XTMA1
IPT60R050G7XTMA1 Elektronické komponenty
IPT60R050G7XTMA1 Odbyt
IPT60R050G7XTMA1 Dodavatel
IPT60R050G7XTMA1 Distributor
IPT60R050G7XTMA1 Datová tabulka
IPT60R050G7XTMA1 Fotky
IPT60R050G7XTMA1 Cena
IPT60R050G7XTMA1 Nabídka
IPT60R050G7XTMA1 Nejnižší cena
IPT60R050G7XTMA1 Vyhledávání
IPT60R050G7XTMA1 Nákup
IPT60R050G7XTMA1 Chip