Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPU80R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251
Číslo dílu
IPU80R1K0CEAKMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ CE
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO251
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
785pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48677 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPU80R1K0CEAKMA1
IPU80R1K0CEAKMA1 Elektronické komponenty
IPU80R1K0CEAKMA1 Odbyt
IPU80R1K0CEAKMA1 Dodavatel
IPU80R1K0CEAKMA1 Distributor
IPU80R1K0CEAKMA1 Datová tabulka
IPU80R1K0CEAKMA1 Fotky
IPU80R1K0CEAKMA1 Cena
IPU80R1K0CEAKMA1 Nabídka
IPU80R1K0CEAKMA1 Nejnižší cena
IPU80R1K0CEAKMA1 Vyhledávání
IPU80R1K0CEAKMA1 Nákup
IPU80R1K0CEAKMA1 Chip