Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3000PBF
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF3000PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 960mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
730pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44874 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3000PBF
IRF3000PBF Elektronické komponenty
IRF3000PBF Odbyt
IRF3000PBF Dodavatel
IRF3000PBF Distributor
IRF3000PBF Datová tabulka
IRF3000PBF Fotky
IRF3000PBF Cena
IRF3000PBF Nabídka
IRF3000PBF Nejnižší cena
IRF3000PBF Vyhledávání
IRF3000PBF Nákup
IRF3000PBF Chip