Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3707ZS
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
Číslo dílu
IRF3707ZS
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
57W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1210pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18738 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3707ZS
IRF3707ZS Elektronické komponenty
IRF3707ZS Odbyt
IRF3707ZS Dodavatel
IRF3707ZS Distributor
IRF3707ZS Datová tabulka
IRF3707ZS Fotky
IRF3707ZS Cena
IRF3707ZS Nabídka
IRF3707ZS Nejnižší cena
IRF3707ZS Vyhledávání
IRF3707ZS Nákup
IRF3707ZS Chip