Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3708PBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
Číslo dílu
IRF3708PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
87W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2417pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27663 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3708PBF
IRF3708PBF Elektronické komponenty
IRF3708PBF Odbyt
IRF3708PBF Dodavatel
IRF3708PBF Distributor
IRF3708PBF Datová tabulka
IRF3708PBF Fotky
IRF3708PBF Cena
IRF3708PBF Nabídka
IRF3708PBF Nejnižší cena
IRF3708PBF Vyhledávání
IRF3708PBF Nákup
IRF3708PBF Chip